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J-GLOBAL ID：201202218953882437   Reference number：12A0721119

Telecommunication band photoluminescence of InAs quantum dots and dashes embedded in different barrier materials

異種障壁材料に埋め込まれたInAs量子ドットと量子ダッシュの通信バンド光ルミネセンス

Author (11)： JAHAN N. A. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HERMANNSTAEDTER C. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HUH J-H. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SASAKURA H. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ROTTER T. J. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  AHIRWAR P. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  BALAKRISHNAN G. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  AKAHANE K. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI M. (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMANO H. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUEMUNE I. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Abstracts. RIES-Hokudai International Symposium  (Abstracts. RIES-Hokudai Symposium)
Volume： 12th  Page： 136-137  Publication year： 2011 
JST Material Number： L3994A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,  *indium arsenide ,  *interposition ,  *photoluminescence ,  semiconductor laser ,  activation energy ,  band gap ,  FWHM ,  mesa structure ,  temperature dependence ,  quantum dot laser
Semi thesaurus term： quantum dash

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 障壁 ,  InAs量子ドット ,  量子ダッシュ ,  通信バンド ,  光ルミネセンス