Art

J-GLOBAL ID：201202219986256309   Reference number：12A1145269

A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors

高性能縦型トランジスタ向けのシリコン基板上III-V族ナノワイヤチャネル

Author (4)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YOSHIMURA Masatoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 488  Issue： 7410  Page： 189-192  Publication year： Aug. 09, 2012 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  *nanowire ,  substrate(plate) ,  silicon ,  *transistor ,  structure ,  semiconductor thin film ,  *three dimension ,  device structure ,  *gate(semiconductor) ,  *indium gallium arsenide ,  vertical ,  mutual conductance ,  electric current ,  indium phosphide ,  aluminum compound ,  indium compound ,  arsenide ,  core-shell structure
Semi thesaurus term： 縦型トランジスタ ,  ゲート構造 ,  サラウンディングゲートトランジスタ ,  オン電流 ,  コアマルチシェル構造 ,  aluminium indium arsenide

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 高性能 ,  縦型 ,  トランジスタ ,  シリコン基板 ,  ナノワイヤ ,  チャネル