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J-GLOBAL ID：201202221706753595   Reference number：12A0589597

4H-SiC{03-38}面上のMOSデバイスの電気的特性評価

Author (5)： HIYOSHI TOORU (住友電気工業) ,  MASUDA TAKEYOSHI (住友電気工業) ,  WADA KEIJI (住友電気工業) ,  HARADA MAKOTO (住友電気工業) ,  NAMIKAWA YASUO (住友電気工業)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.18P-A8-2  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *MOSFET ,  *electrical property ,  surface level
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  interface state

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： 4H-SiC ,  MOSデバイス ,  電気的特性 ,  評価