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J-GLOBAL ID：201202223226212155   Reference number：12A0153200

Temperature Dependence of 4H-SiC JBS and Schottky Diodes after High Temperature Treatment of Contact Metal

接触金属の高温処理後の4H-SiC JBSとSchottkyダイオードの温度依存性

Author (6)： PEREZ R. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MESTRES N. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  TOURNIER D. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  JORDA X. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  VELLVEHI M. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  GODIGNON P. (CSIC, Bellaterra, ESP)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 483/485  Page： 945-948  Publication year： 2005 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 高温処理 ,  4H-SiC ,  Schottkyダイオード ,  温度依存性