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J-GLOBAL ID：201202223804875235   Reference number：12A0460954

Materials and growth issues for high-performance nonpolar and semipolar light-emitting devices

高性能非極性および半極性発光デバイスの材料と成長の問題点

Author (5)： FARRELL R M (Univ. California, CA, USA) ,  YOUNG E C (Univ. California, CA, USA) ,  WU F (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK J S (Univ. California, CA, USA)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 27  Issue： 2  Page： 024001,1-14  Publication year： Feb. 2012 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wurtzite type crystal ,  *light emitting diode ,  *semiconductor laser ,  *gallium nitride ,  dielectric polarization ,  substrate (plate) ,  nonpolarity ,  threading dislocation ,  carrier recombination ,  crystal orientation ,  *crystal growth ,  *semiconductor thin film ,  crystal face ,  semiconductor ,  polar semiconductor
Semi thesaurus term： hillock

JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 高性能 ,  非極性 ,  半極性 ,  発光デバイス ,  成長 ,  問題点