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J-GLOBAL ID：201202225611914503   Reference number：12A0430616

Over 100 ns intrinsic radiative recombination lifetime in type II InAs/GaAs_1-xSb_x quantum dots

タイプIIのInAs/GaAs_1-xSb_x量子ドットにおける100nsを超える固有放射再結合寿命

Author (8)： NISHIKAWA Kazutaka (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  TAKEDA Yasuhiko (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  YAMANAKA Ken-ichi (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  MOTOHIRO Tomoyoshi (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN) ,  SATO Daisuke (Toyota Motor Corp., Susono, Shizuoka 410-1193, JPN) ,  OTA Junya (Toyota Motor Corp., Susono, Shizuoka 410-1193, JPN) ,  MIYASHITA Naoya (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN) ,  OKADA Yoshitaka (Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 111  Issue： 4  Page： 044325  Publication year： Feb. 15, 2012 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,  *indium arsenide ,  antimonide ,  arsenide ,  gallium compound ,  compound semiconductor ,  *photoluminescence ,  infrared emission spectrum ,  fluorescence lifetime ,  decay time ,  recombination(connection) ,  fluorescence decay
Semi thesaurus term： アンチモン化ヒ化ガリウム ,  composition dependency ,  radiative recombination

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： タイプ ,  InAs ,  量子ドット ,  固有 ,  放射再結合 ,  寿命