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J-GLOBAL ID：201202229181798267   Reference number：12A0939777

点欠陥導入セラミックスのアニールに伴う陽電子寿命回復挙動と熱拡散率の相関

Author (4)： AKIYOSHI MASAFUMI (京大) ,  YOSHIIE TOSHIMASA (京大 原子炉実験所) ,  JO KYU (京大 原子炉実験所) ,  SATO KOICHI (京大 原子炉実験所)
Material： KURRI-KR (CD) (CD-ROM)  (KURRI KR (CD) (CD-ROM))
Issue： 35  Page： ROMBUNNO.8  Publication year： 2011 
JST Material Number： L5681A  ISSN： 1349-7960  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ceramics ,  *point defect ,  annealing (heat treatment) ,  lifetime ,  thermal diffusivity ,  *neutron irradiation ,  *electron irradiation ,  *aluminum nitride ,  temperature dependence ,  alumina ,  silicon nitride ,  silicon carbide ,  linear accelerator ,  positron lifetime ,  accelerator

JST classification (3)： Lattice defects in other inorganic compounds  (BK12050B) ,  Interaction with neutrons  (BK16060O) ,  Interactions with electrons and positrons in general  (BK16051U)

Terms in the title (8)： 点欠陥 ,  セラミックス ,  アニール ,  陽電子寿命 ,  回復 ,  挙動 ,  熱拡散率 ,  相関