Art

J-GLOBAL ID：201202232368879679   Reference number：12A0599946

Effects of Moisture on the Switching Characteristics of Oxide-Based, Gapless-Type Atomic Switches

酸化物ベースのキャップレス型原子スイッチのスイッチング特性に対する湿度の影響

Author (10)： TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TERABE Kazuya (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  VALOV Ilia (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  VALOV Ilia (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
Material： Advanced Functional Materials  (Adv Funct Mater)
Volume： 22  Issue： 1  Page： 70-77  Publication year： Jan. 11, 2012 
JST Material Number： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RAM ,  *copper ,  tantalum oxide ,  silicon oxide ,  nanocomposites ,  current-voltage characteristic ,  hysteresis ,  switching ,  switching element ,  moisture dependence ,  ionization
Semi thesaurus term： *resistive random access memory

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (6)： 酸化物 ,  キャップ ,  レス ,  原子スイッチ ,  スイッチング特性 ,  湿度