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J-GLOBAL ID：201202234930613590   Reference number：12A0312937

Carbonaceous field effect transistor with graphene and diamondlike carbon

グラフェンとダイヤモンド状炭素から成る炭素系電界効果トランジスター

Author (9)： TAKABAYASHI Susumu ,  OGAWA Shuichi ,  TAKAKUWA Yuji ,  KANG Hyun-chul ,  TAKAHASHI Ryota ,  FUKIDOME Hirokazu ,  SUEMITSU Maki ,  SUEMITSU Tetsuya ,  OTSUJI Taiichi
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 22  Page： 118-123  Publication year： Feb. 2012 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *carbon material ,  diamond-like carbon ,  *FET ,  *DLC film ,  plasma CVD ,  oxide film ,  dielectric thin film ,  photoemission ,  device structure ,  channel ,  silicon carbide ,  evaporated film ,  source ,  drain (semiconductor) ,  *graphene ,  gate dielectric film ,  6H-silicon carbide ,  conversion coating film
Semi thesaurus term： 6H-SiC ,  gate dielectric ,  top gate type ,  *field effect transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： グラフェン ,  ダイヤモンド状炭素 ,  炭素 ,  電界効果トランジスター