Art

J-GLOBAL ID：201202237122438896   Reference number：12A0502659

数百keV C₆₀イオン照射によって形成された非昌質Si₃N₄薄膜中のイオントラックのTEM観察

Author (8)： MORITA YOSUKE (京大 大学院) ,  NAKAJIMA KAORU (京大 大学院) ,  SUZUKI MOTOFUMI (京大 大学院) ,  KIMURA KENJI (京大 大学院) ,  NARUMI KAZUMASA (原子力機構 高崎研) ,  SAITO YUICHI (原子力機構 高崎研) ,  TSUJIMOTO MASAHIKO (物質・細胞統合システム拠点) ,  ISODA SEIJI (物質・細胞統合システム拠点)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 67  Issue： 1 第2分冊  Page： 174  Publication year： Mar. 05, 2012 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ion irradiation ,  *amorphous silicon ,  thin film ,  *particle track ,  electron microscopy ,  cluster ion ,  fullerene C60 ,  radiation damage

JST classification (1)： Irradiational changes of other materials  (BK16124V)

Terms in the title (7)： C60 ,  イオン照射 ,  質 ,  Si3N4 ,  薄膜 ,  イオントラック ,  TEM観察