Art

J-GLOBAL ID：201202238292430438   Reference number：12A0992107

Hybrid Si-IGBT and SiC-SBD Modules

Si-IGBTとSiC-SBDのハイブリッドモジュール

Author (3)： NAKAZAWA Masayoshi (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  MIYANAGI Toshiyuki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  IWAMOTO Susumu (Fuji Electric Co., Ltd.)
Material： Fuji Electric Review  (Fuji Electr Rev)
Volume： 58  Issue： 2  Page： 70-74  Publication year： May. 20, 2012 
JST Material Number： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： inverter ,  improvement of efficiency ,  *circuit module ,  *IGBT ,  *Schottky barrier diode ,  *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  electrical loss
Semi thesaurus term： *power module ,  wide band-gap semiconductor ,  power loss

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Diodes  (NC03050R) ,  Power converters  (NB08030B)

Reference (1)：

• (1) Takahashi, K. et a1. New Lineup of V-Series IGBT Modules. FUJI ELECTRIC REVIEW.2010, voL56,no.2, P.56-59.

Terms in the title (5)： Si ,  IGBT ,  SiC ,  SBD ,  モジュール