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J-GLOBAL ID：201202242612274828   Reference number：12A0256962

Effective energy gap of the double-walled carbon nanotubes with field effect transistors ambipolar characteristics

電界効果トランジスタ両性特性がある2層カーボンナノチューブの有効エネルギーギャップ

Author (6)： MORIMOTO Takahiro (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  KUNO Akihiro (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  YAJIMA Shota (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  ISHIBASHI Koji (Advanced Device Lab., Riken, 2-1, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  TSUCHIYA Koji (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Sci., 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  YAJIMA Hirofumi (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Sci., 1-3, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 100  Issue： 4  Page： 043107  Publication year： Jan. 23, 2012 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  carbon nanotube ,  nanostructure ,  *energy gap ,  hafnium oxide ,  diameter ,  voltage ,  conductance ,  threshold ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor
Semi thesaurus term： *double wall carbon nanotube ,  gate voltage ,  bias voltage ,  Coulomb diamond

JST classification (2)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (4)： 電界効果トランジスタ ,  性特性 ,  2層カーボンナノチューブ ,  エネルギーギャップ