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J-GLOBAL ID：201202242876699657   Reference number：12A0589107

表面活性化ウェハボンディングによる半導体接合の特性評価

Author (3)： SHIGEKAWA NAOTERU (大阪市大 工) ,  WATANABE NORIYUKI (NTT フォトニクス研) ,  HIGURASHI EIJI (東大 先端科学技研セ)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 59th  Page： ROMBUNNO.18A-E2-2  Publication year： Feb. 29, 2012 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *activation ,  *micro circuit technique ,  *semiconductor junction ,  characterization ,  wafer ,  substrate (plate) ,  gallium nitride ,  sapphire substrate ,  Si wafer
Semi thesaurus term： surface activation ,  *wafer bonding ,  Si wafer

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 表面活性化 ,  ウェハ ,  ボンディング ,  半導体接合 ,  特性評価