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J-GLOBAL ID：201202243612580887   Reference number：12A0858266

A Precise Analysis of the Core-Level Energy Difference between the Surface and Bulk Region of Organic Semiconductor Thin Films

有機半導体薄膜の表面とバルク領域の間のコア準位エネルギー差の精密解析

Author (3)： YOSHIDA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIDA Hiroyuki (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  SATO Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C. Energy Conversion and Storage, Optical and Electronic Devices, Interfaces, Nanomaterials, and Hard Matter)
Volume： 116  Issue： 18  Page： 10033-10038  Publication year： May. 10, 2012 
JST Material Number： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *organic semiconductor ,  *core level ,  factor analysis ,  *semiconductor thin film ,  X-ray photoelectron spectrum ,  Principal Component Analysis ,  nitrogen heterocyclic compound ,  polynuclear aromatic compound

JST classification (2)： Electric conduction in organic compounds  (BM03045F) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (3)： Aluminum tris(quinoline-8-olate) ,  2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline ,  Copper phthalocyanine

Terms in the title (6)： 半導体薄膜 ,  バルク ,  コア準位 ,  エネルギー差 ,  精密 ,  解析