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J-GLOBAL ID：201202245437168059   Reference number：12A1251270

High Response Piezoelectric and Piezoresistive Materials for Fast, Low Voltage Switching: Simulation and Theory of Transduction Physics at the Nanometer-Scale

高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチング ナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論

Author (4)： NEWNS Dennis M. (IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA) ,  ELMEGREEN Bruce G. (IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA) ,  LIU Xiao-Hu (IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA) ,  MARTYNA Glenn J. (IBM TJ Watson Res. Center, NY, USA)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 24  Issue： 27  Page： 3672-3677  Publication year： Jul. 17, 2012 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *piezoelectric device ,  *metal-insulater transition ,  *electric resistance ,  *pressure effect ,  *switching ,  computer simulation ,  three-terminal circuit ,  laminate structure ,  selenide(chalcogenide) ,  samarium compound ,  finite element method ,  characteristic ,  ring resonator ,  frequency(Hz) ,  unit ,  size effect
Semi thesaurus term： GHz ,  piezoelectric device ,  operating characteristic

JST classification (4)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Resonator  (NC04050Y) ,  Phase equilibrium,phase diagram of one-component systems  (CB03013K) ,  Computer simulation  (JE11000H)

Terms in the title (9)： 応答性 ,  圧電 ,  圧 ,  低電圧 ,  スイッチング ,  ナノメートルスケール ,  物理 ,  シミュレーション ,  理論