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J-GLOBAL ID：201202246568890848   Reference number：12A1717797

Selective Adsorption of Thiol Molecules at Sulfur Vacancies on MoS₂(0001), Followed by Vacancy Repair via S-C Dissociation

MoS₂(0001)上の硫黄欠陥でのチオール分子の選択的吸着とそれに続くS-C解離による空孔修復

Author (3)： MAKAROVA Marina (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  OKAWA Yuji (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C. Energy Conversion and Storage, Optical and Electronic Devices, Interfaces, Nanomaterials, and Hard Matter)
Volume： 116  Issue： 42  Page： 22411-22416  Publication year： Oct. 25, 2012 
JST Material Number： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dissociation ,  *magnesium compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  Sulfur ,  *defect ,  *thiol ,  *Adsorption ,  vacancy ,  silanes ,  Microscopy ,  atomic force microscope ,  Microscopy, Scanning Tunneling ,  *magnesium sulfide ,  *selective adsorption
Semi thesaurus term： *selective adsorption

JST classification (3)： Study of adsorption by physical means  (CB12043P) ,  Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Aliphatic thiols  (CF03120R)

Substance index (2)： 1-Dodecanethiol ,  3-Mercaptopropyltrimethoxysilane

Terms in the title (9)： MoS2 ,  硫黄 ,  欠陥 ,  チオール ,  分子 ,  選択的吸着 ,  解離 ,  空孔 ,  修復