Art

J-GLOBAL ID：201202248549314448   Reference number：12A1438846

GaAs(001)表面におけるBi取り込みに対する量子論的アプローチ

Author (4)： MURASE ISAO (三重大 大学院) ,  AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.14A-J-2  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *surface structure ,  *bismuth ,  *uptake ,  quantum theory ,  *density functional method ,  *pseudopotential method ,  *adsorption energy ,  chemical potential ,  *dissociation rate ,  dimer
Semi thesaurus term： generalized gradient approximation

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Electron theory of adsorption  (CB12042Y)

Terms in the title (4)： GaAs ,  Bi ,  取り込み ,  量子論