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J-GLOBAL ID：201202248830255302   Reference number：12A1011945

Visualization of charges stored in the floating gate of flash memory by scanning nonlinear dielectric microscopy

走査非線形誘電顕微鏡法によるフラッシュメモリの浮動ゲートに蓄積された電荷の可視化

Author (3)： HONDA K. (Fujitsu Labs. Ltd, Atsugi) ,  HASHIMOTO S. ,  CHO Yasuo
Material： Nanotechnology
Volume： 17  Issue： 7  Page： S185-8  Publication year： 2006 
JST Material Number： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *flash memory ,  *floating gate ,  *electric charge ,  visualization ,  polysilicon ,  silicon dioxide ,  silicon nitride ,  *microscopy ,  electrification(static charge) ,  electrostatic capacity
Semi thesaurus term： 走査型非線形誘電顕微鏡 ,  *Microscopy, Scanning Probe ,  charge accumulation

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (8)： 走査 ,  非線形 ,  顕微鏡法 ,  フラッシュメモリ ,  浮動ゲート ,  蓄積 ,  電荷 ,  可視化