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J-GLOBAL ID：201202253663729414   Reference number：12A1438590

X線マイクロ回折法によるSi(111)上InGaAsの成長メカニズム解析

Author (9)： WATANABE SHOTA (東大 大学院) ,  FUJIMOTO YU (東大 先端科学技研セ) ,  WATANABE KENTARO (東大 先端科学技研セ) ,  HIGO AKIO (東大 先端科学技研セ) ,  IMAI YASUHIKO (高輝度光科学研究セ) ,  KIMURA SHIGERU (高輝度光科学研究セ) ,  SUGIYAMA MASAKAZU (東大 大学院) ,  NAKANO YOSHIAKI (東大 大学院) ,  NAKANO YOSHIAKI (東大 先端科学技研セ)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.11P-J-2  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *indium gallium arsenide ,  wafer ,  mechanism ,  *epitaxy ,  *selective growth ,  *MOCVD ,  X-ray diffraction ,  crystallinity ,  crystal growth
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  *micro-X-ray diffraction ,  growth mechanism ,  *selected area growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： X線 ,  回折 ,  Si ,  InGaAs ,  成長メカニズム ,  解析