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J-GLOBAL ID：201202258764100020   Reference number：12A1371243

Ultrahigh-sensitivity infrared detection system using an InGaAs p-i-n photodiode with low dielectric polarization noise

低誘電分極雑音を持つInGaAsのp-i-nフォトダイオードを用いた超高感度赤外検出システム

Author (2)： AKIBA Makoto ,  KANAI Yoshikazu
Material： Optics Letters  (Opt Lett)
Volume： 37  Issue： 12  Page： 2235-2237  Publication year： Jun. 15, 2012 
JST Material Number： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,  *PIN junction ,  *photodiode ,  dielectric polarization ,  *infrared detector ,  *noise reduction ,  detection limit ,  temperature dependence ,  quantum efficiency

JST classification (1)： Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (7)： 誘電分極 ,  雑音 ,  InGaAs ,  フォトダイオード ,  高感度 ,  赤外 ,  検出システム