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J-GLOBAL ID：201202260060461332   Reference number：12A0363637

Electrical characterization of Ω-gated uniaxial tensile strained Si nanowire-array metal-oxide-semiconductor field effect transistors with <100>- and <110> channel orientations

<100>-と<110>チャンネル配向のΩ-ゲート単軸 張力歪みSiナノワイヤー-アレイ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターの電気評価

Author (5)： HABICHT Stefan ,  FESTE Sebastian ,  ZHAO Qing-tai ,  BUCA Dan ,  MANTL Siegfried
Material： Thin Solid Films
Volume： 520  Issue： 8  Page： 3332-3336  Publication year： Feb. 01, 2012 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  channel ,  orientation(direction) ,  gate(semiconductor) ,  tensile stress ,  *residual strain ,  *silicon ,  *nanowire ,  positive hole ,  *carrier mobility ,  *SOI structure ,  *crystal orientation ,  semiconductor thin film ,  sequence and arrangement ,  ratio
Semi thesaurus term： on-off ratio

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (12)： チャンネル ,  配向 ,  ゲート ,  単軸 ,  張力 ,  歪み ,  Si ,  ナノワイヤー ,  アレイ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  評価