Art

J-GLOBAL ID：201202261815158046   Reference number：12A0495537

Electroresistance Effect in Gold Thin Film Induced by Ionic-Liquid-Gated Electric Double Layer

イオン性液体ゲート電気2重層が金薄膜に誘起する電気抵抗効果

Author (10)： NAKAYAMA Hiroyasu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YE Jianting (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHTANI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIKAWA Yasunori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ANDO Kazuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SAITOH Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITOH Eiji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Eiji (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 5  Issue： 2  Page： 023002.1-023002.3  Publication year： Feb. 25, 2012 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electric double layer ,  *transistor ,  gold ,  metallic thin film ,  ionic liquid ,  nanostructure ,  gap ,  *electric resistance ,  gate(semiconductor) ,  voltage ,  *power condenser
Semi thesaurus term： electric double layer transistor ,  gold thin film ,  nanogap ,  gate voltage ,  electric double layer capacitor

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electrostatic equipment  (NB10020R)

Reference (46)：

• SHIMOTANI, H. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 242107
• ONO, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 103313
• CHO, J. H. Nat. Mater. 2008, 7, 900
• CHO, J. H. Adv. Mater. 2008, 20, 686
• XIA, Y. Adv. Mater. 2009, 21, 2174

Terms in the title (6)： イオン性液体 ,  ゲート ,  電気2重層 ,  金薄膜 ,  誘起 ,  電気抵抗