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J-GLOBAL ID：201202262095153897   Reference number：12A1439348

Diffusion of Acid from Resist to Si-hardmask Layer

レジストからSiハードマスク層への酸の拡散

Author (6)： SHIRAI Masamitsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEDA Hiroki (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  HATSUSE Tatsuya (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMURA Haruyuki (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  WAKAYAMA Hiroyuki (Nissan Chemical Ind., LTD., Toyama, JPN) ,  NAKAJIMA Makoto (Nissan Chemical Ind., LTD., Toyama, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 8325  Page： 83251L.1-83251L.6  Publication year： 2012 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor process ,  *photolithography ,  mask ,  *circuit pattern generation ,  silicon ,  acid ,  *diffusion process ,  chemically amplified resist ,  antireflection film ,  exposure (photography) ,  heat treatment ,  post exposure bake
Semi thesaurus term： hard mask ,  post exposure bake

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： レジスト ,  Si ,  マスク層 ,  酸 ,  拡散