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J-GLOBAL ID：201202268877765210   Reference number：12A1309710

New Trends for the Nonlinear Measurement and Modeling of High-Power RF Transistors and Amplifiers With Memory Effects

メモリ効果を持つ高出力RFトランジスタと増幅器の非線形測定とモデリングの最近の傾向

Author (5)： ROBLIN Patrick (Ohio State Univ., OH, USA) ,  ROOT David E. (Agilent Technol. Inc., CA, USA) ,  VERSPECHT Jan (Agilent Technol. Belgium SA/NV, Opwijk, BEL) ,  KO Youngseo (Ohio State Univ., OH, USA) ,  TEYSSIER Jean Pierre (Univ. Limoges, Limoges, FRA)
Material： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Trans Microw Theory Tech)
Volume： 60  Issue： 6,Pt.2  Page： 1964-1978  Publication year： Jun. 2012 
JST Material Number： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *transistor ,  *power amplifier ,  modeling ,  *memory effect ,  electrical measurement ,  signal characteristic ,  ratio ,  neural network (biomodel) ,  nonlinear
Semi thesaurus term： PAPR ,  *memory effect ,  artificial neural network ,  vector network analyzer

JST classification (2)： Amplification circuits  (NC05040U) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： メモリ効果 ,  高出力 ,  RF ,  トランジスタ ,  増幅器 ,  非線形 ,  モデリング ,  傾向