Art

J-GLOBAL ID：201202269719093759   Reference number：12A0312177

Location controlled high performance single-grain Ge TFTs on glass substrate

位置を制御したガラス基板上の高性能な単結晶粒Ge TFTs

Author (3)： CHEN Tao (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...) ,  ISHIHARA Ryoichi (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...) ,  BEENAKKER Kees (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 69  Page： 94-98  Publication year： Mar. 2012 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *Germanium ,  substrate (plate) ,  single crystal ,  *crystal growth ,  *Czochralski method ,  carrier mobility ,  Hall mobility ,  *LEC method ,  glass substrate ,  electron mobility ,  *single crystal growth
Semi thesaurus term： *single crystal growth ,  performance enhancement

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： ガラス基板 ,  単結晶 ,  Ge