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J-GLOBAL ID：201202279471438652   Reference number：12A0607597

Frequency Dependence on Etching Characteristics of Silicon using Surface Discharge Plasma

沿面放電プラズマを用いたSiエッチングの電源周波数依存性

Author (4)： ARIMURA TAKUYA (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  HIRANO KEITA (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻) ,  HAMADA TOSHIYUKI (宮崎県企業局電気課) ,  SAKODA TATSUYA (宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻)
Material： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
Volume： 132  Issue： 4  Page： 333-334 (J-STAGE)  Publication year： 2012 
JST Material Number： S0808A  ISSN： 0385-4205  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma etching ,  *creeping discharge ,  *surface processing ,  silicon ,  substrate (plate) ,  *solar cell ,  frequency dependence ,  pattern formation ,  patterning (transcription) ,  surface treatment

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (2)：

• SAKODA, T. Selective Etching of Silicon Nitride Film on Single Crystalline Silicon Solar Cell Using Intensive Surface Discharge. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 5A, 3992-3993
• HORZEL, J. A Simple Processing Sequence for Selective Emitter. Proc. of 26th IEEE PVSC, 1997. 1997, 139-142

Terms in the title (4)： 沿面放電 ,  プラズマ ,  Siエッチング ,  周波数依存性