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J-GLOBAL ID：201202280376203638   Reference number：12A0960479

Modification of Magnetic Nanocontact Structure by a Bias-Voltage-Induced Stress and Its Influence on Magnetoresistance Effect in TaO_x Nano-Oxide Layer Spin Valve

バイアス電圧で誘起された応力による磁気ナノコンタクト構造の改善,並びに,TaO_xナノ酸化物層のスピンバルブの磁気抵抗に及ぼすその改善の影響

Author (6)： MIYAKE Kousaku (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKI Yosinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUZUKI Ayako (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASAKI Shohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DOI Masaaki (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SAHASHI Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 6,Issue 1  Page： 063002.1-063002.8  Publication year： Jun. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *voltage ,  *device structure ,  *magnetic reluctance ,  electric contact ,  spacer ,  *tantalum oxide ,  micro structure ,  stress (mechanics) ,  *spin valve
Semi thesaurus term： bias voltage ,  磁気ナノコンタクト ,  nano-contact ,  ナノ酸化物

JST classification (1)： Other solid-state devices  (NC03150A)

Reference (37)：

• 1) H. N. Fuke, S. Hashimoto, M. Takagishi, H. Iwasaki, S. Kawasaki, K. Miyake, and M. Sahashi: IEEE Trans. Magn. 43 (2007) 2848.
• 2) M. Takagishi, H. N. Fuke, S. Hashimoto, H. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Shiozaki, and M. Sahashi: J. Appl. Phys. 105 (2009) 07B725.
• 3) K. Nagasaka, Y. Seyama, L. Varga, Y. Shimizu, and A. Tanaka: J. Appl. Phys. 89 (2001) 6943.
• 4) M. Takagishi, K. Koi, M. Yoshikawa, T. Funayama, H. Iwasaki, and M. Sahashi: IEEE Trans. Magn. 38 (2002) 2277.
• 5) H. Fukuzawa, H. Yuasa, S. Hashimoto, K. Koi, H. Iwasaki, M. Takagishi, Y. Tanaka, and M. Sahashi. IEEE Trans. Magn. 40 (2004) 2236.

Terms in the title (8)： バイアス電圧 ,  誘起 ,  応力 ,  磁気 ,  ナノコンタクト ,  酸化物層 ,  スピンバルブ ,  磁気抵抗