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J-GLOBAL ID：201202280800263867   Reference number：12A0794993

Infrared Absorption Spectrum of Tellurium under High Pressure

高圧下におけるテルルの赤外吸収スペクトル

Author (3)： TAKUMI MASAHARU (福岡大 理) ,  HIRAI NOBUHIRO (福岡大 理) ,  NAGATA KIYOFUMI (福岡大 理)
Material： 福岡大学理学集報  (Fukuoka University Science Reports)
Volume： 42  Issue： 1  Page： 1-8  Publication year： Mar. 30, 2012 
JST Material Number： L4851A  ISSN： 0386-118X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *metal-semiconductor transition ,  *phase transition ,  *electronic structure ,  electronic state ,  *high pressure ,  *tellurium ,  optical absorption ,  absorption edge ,  infrared spectroscopy ,  FTIR spectroscopy ,  *infrared absorption spectrum ,  pressure effect ,  red shift ,  detection limit ,  metallization(IC) ,  energy ,  extrapolation method
Semi thesaurus term： *semiconductor-metal transition ,  *pressure induced phase transition ,  infrared microspectroscopy ,  pressure dependence ,  metallization ,  band-gap energy ,  extrapolation

JST classification (4)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Solid phase transitions  (BL04020G) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (3)： 高圧 ,  テルル ,  赤外吸収スペクトル