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J-GLOBAL ID：201202281205773076   Reference number：12A1730732

Reduction in Specific Contact Resistivity to n⁺ Ge Using TiO₂ Interfacial Layer

TiO₂界面層を用いたn⁺Geに対する比接触抵抗の減少

Author (3)： LIN J.-Y. Jason (Stanford Univ., CA, USA) ,  ROY Arunanshu M. (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT Krishna C. (Stanford Univ., CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 33  Issue： 11  Page： 1541-1543  Publication year： Nov. 2012 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ratio ,  *boundary layer ,  *germanium ,  Fermi level ,  titanium oxide ,  MIS structure
Semi thesaurus term： germanium ,  titanium dioxide ,  interface layer ,  *specific contact resistance

JST classification (1)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Terms in the title (3)： TiO2 ,  界面層 ,  比接触抵抗