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J-GLOBAL ID：201202286364678205   Reference number：12A1437383

細線加工した(001)GaAs/AlGaAs量子井戸における動的核スピン分極

Author (4)： ISHIHARA JUN (東北大 電通研) ,  ONO YUZO (筑波大) ,  ONO HIDEO (東北大 電通研) ,  ONO HIDEO (東北大 WPI)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 73rd  Page： ROMBUNNO.14A-H6-1  Publication year： Aug. 27, 2012 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： fine line ,  *gallium arsenide ,  *aluminum gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  heterojunction ,  *quantum well ,  *spin polarization ,  *nuclear spin ,  spin-orbit interaction ,  magnetic relaxation ,  electron spin ,  hyperfine interaction ,  relaxation time ,  precession ,  carrier mobility ,  MBE growth ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： spin relaxation ,  *核スピン分極

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： 細線 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  核 ,  スピン分極