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J-GLOBAL ID：201202295602591287   Reference number：12A1327982

Luminescence decay in hydrogenated amorphous silicon and silicon nanostructures

水素化アモルファスシリコンにおけるルミネセンス減衰とシリコンナノ構造

Author (5)： TSUSHIMA Kouhei (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  NAKATA Hitoshi (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  MONJI Kunitaka (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  DEKI Hidenori (Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Nakano, Aki-ku, Hiroshima-shi, Hiroshima-ken 739-0321, JPN) ,  MURAYAMA Kazuro (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 358  Issue： 17  Page： 2090-2095  Publication year： Sep. 01, 2012 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous silicon ,  *hydride ,  *Luminescence ,  *attenuation ,  porous silicon ,  *carrier recombination ,  *electronic transition ,  nanostructure ,  *hydrogenated amorphous silicon ,  electron-hole recombination
Semi thesaurus term： ルミネセンス減衰 ,  間接的光学遷移

JST classification (2)： Electronic structure of amorphous materials in general  (BM02041I) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 水素化アモルファスシリコン ,  ルミネセンス ,  減衰 ,  シリコン ,  ナノ構造