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J-GLOBAL ID：201202297326496669   Reference number：12A0558002

パルスレーザーメルティングによるSiへのTiの過飽和ドープ

Author (5)： KAWABE DAISUKE (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  NAKAGAWA SHO (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  MATSUDA YUKI (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  SUGIMURA AKIRA (甲南大 理工) ,  UMEZU IKURO (甲南大 理工)
Material： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science Series)
Volume： 58  Issue： 1  Page： 21-31  Publication year： Dec. 25, 2011 
JST Material Number： F0795A  ISSN： 1348-0383  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *doping ,  *pulsed laser irradiation ,  optical absorption ,  crystallinity ,  Raman spectrum ,  metastable state ,  *Titanium ,  *laser melting ,  nanosecond ,  YAG laser

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (4)： Si ,  Ti ,  過飽和 ,  ドープ