半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：杉村憲司 , 来間清志 , 寺嶋勇太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010177978
Publication number (International publication number)：2012038932
Application date： Aug. 06, 2010
Publication date： Feb. 23, 2012
Summary：

【課題】安価、且つ、少ない機械的ダメージでウェーハを所望の厚さに薄厚化することができ、また、金属汚染や研削粉が発生し難い半導体ウェーハの薄厚化方法、および該薄厚化方法を用いた貼り合せウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、脆化層を起点として半導体ウェーハを2枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程とを含む半導体ウェーハの薄厚化方法である。また、半導体ウェーハの薄厚化方法を利用した貼り合せウェーハの製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、前記脆化層を起点として前記半導体ウェーハを2枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程と、を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの薄厚化方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L21/02 B , H01L21/268 E , H01L27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-223193 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置の作製方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-203852 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-145599 Applicant：株式会社SUMCO

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