薄膜半導体基板の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010214417
Publication number (International publication number)：2012069817
Application date： Sep. 24, 2010
Publication date： Apr. 05, 2012
Summary：

【課題】より微細な気泡によって気泡層を形成することが可能で、これによりTATおよび歩留まりの向上を図ることが可能な薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1の全面において深さを一定に制御してイオンIを注入するイオン注入工程と、半導体基板1の加熱により半導体基板1に注入したイオンを気化させて気泡層7を形成する気泡層形成工程と、半導体基板1に絶縁性基板11を張り合わせる張り合わせ工程と、気泡層7を劈開面15として半導体基板1を劈開し、絶縁性基板11側に半導体基板1を劈開させた半導体薄膜1aを設ける劈開工程とを行う。特に気泡層形成工程においては、半導体基板1を1000°C〜1200°Cの温度で10μ秒〜100m秒間加熱する。このような加熱は、例えば光ビームhνのようなエネルギービームの照射によって行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の全面において深さを一定に制御してイオンを注入するイオン注入工程と、前記半導体基板の加熱により当該半導体基板に注入したイオンを気化させて気泡層を形成する気泡層形成工程と、前記半導体基板に絶縁性基板を張り合わせる張り合わせ工程と、前記気泡層を劈開面として前記半導体基板を劈開することにより前記絶縁性基板側に当該半導体基板を劈開させた半導体薄膜を設ける劈開工程とを行い、前記気泡層形成工程においては、前記半導体基板を1000°C〜1200°Cの温度で10μ秒〜100m秒間加熱する薄膜半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/20

FI (4)：

H01L27/12 B , H01L21/265 Q , H01L27/12 R , H01L21/20

F-Term (24)：

5F152AA11 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC08 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CE03 , 5F152CE24 , 5F152CE29 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF21 , 5F152LP01 , 5F152LP06 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152NN03 , 5F152NN14 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP11 , 5F152NP13 , 5F152NQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

SOI基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-256854 Applicant：信越化学工業株式会社
超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-299563 Applicant：ソニー株式会社
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-024838 Applicant：石川島播磨重工業株式会社

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