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J-GLOBAL ID：201203005533914082

太陽電池の製造方法

Inventor： 池ノ上 芳章 ,  三木 久幸 ,  塙 健三 ,  佐々木 保正 ,  加治 亘章 ,  横内 仁 ,  今田 涼子
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (5)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  荒 則彦 ,  三國 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011277611
Publication number (International publication number)：2012089876
Application date： Dec. 19, 2011
Publication date： May. 10, 2012
Summary：

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池の製造方法の提供。【解決手段】基板1上に、III族窒化物半導体からなるバッファー層2をスパッタ法で形成し、バッファー層2上にIII族窒化物半導体層50,51及び電極60を形成する太陽電池の製造方法であって、バッファー層2上のIII族窒化物半導体層に含まれるpn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)50,51の少なくとも1種をスパッタ法で形成し、次いで電極60を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、III族窒化物半導体からなるバッファー層をスパッタ法で形成し、当該バッファー層上にIII族窒化物半導体層及び電極を形成する太陽電池の製造方法であって、 前記バッファー層上のIII族窒化物半導体層に含まれるpn接合を有するIII族窒化物半導体層(p型層/n型層)の少なくとも1種をスパッタ法で形成し、次いで電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (16)：

5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151BA02 ,  5F151BA12 ,  5F151CB12 ,  5F151CB15 ,  5F151CB20 ,  5F151CB22 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA19 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5F151GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-121692   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体成長プロセス用ドーピングプロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-113380   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 特開平3-218622