半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012043486
Publication number (International publication number)：2012199528
Application date： Feb. 29, 2012
Publication date： Oct. 18, 2012
Summary：

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の提供。【解決手段】酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162と、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を組み合わせて用いることにより、書き込み回数にも制限が無く、長期間にわたる情報の保持ができる、新たな構造の半導体装置を実現することができる。さらに、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタと酸化物半導体材料を用いたトランジスタとを接続する接続電極130bを、当該接続電極と接続する酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタの電極129より小さくすることにより、新たな構造の半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体材料を含む基板と、前記半導体材料を用いて形成された、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第1のゲート絶縁層及び第1のゲート電極を含む第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極、第2のゲート絶縁層及び第2のゲート電極を含む第2のトランジスタと、第1の接続電極と、第2の接続電極と、第2の接続電極上に形成された第3の接続電極と、を有し、前記第1の接続電極は、前記第1のゲート電極と前記ソース電極及びドレイン電極の一方との間に設けられ、前記第2の接続電極及び第3の接続電極は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と前記ソース電極及びドレイン電極の他方との間に設けられ、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方は、前記第1のゲート電極と電気的に接続し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と電気的に接続し、前記酸化物半導体層は、少なくとも前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一部と重畳することを特徴とする半導体装置。

IPC (19)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , G11C 11/405 , H01L 23/522 , H01L 21/768

FI (18)：

H01L27/10 441 , H01L27/10 321 , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618C , H01L27/06 102A , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , H01L27/08 102D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/58 G , G11C11/34 352B , H01L21/90 D , H01L21/90 B

F-Term (191)：

5F033XX01 , 5F033XX07 , 5F033XX16 , 5F033XX24 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA20 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD04 , 5F083AD10 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP75 , 5F083ER22 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA31 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083LA02 , 5F083LA21 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR01 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA21 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD07 , 5F101BD13 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF01 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF05 , 5F101BF09 , 5F101BH03 , 5F101BH04 , 5F101BH05 , 5F101BH06 , 5F101BH16 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110BB05 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE31 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM05 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19 , 5M024AA06 , 5M024AA94 , 5M024BB02 , 5M024CC02 , 5M024CC05 , 5M024HH01 , 5M024HH11 , 5M024PP03 , 5M024PP04 , 5M024PP05 , 5M024PP10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭63-268184
トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-000047 Applicant：科学技術振興事業団
特開昭62-274773

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