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J-GLOBAL ID：201203007045248700

発光素子の製造方法および発光素子

Inventor： 西薗 和博
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011018450
Publication number (International publication number)：2012160540
Application date： Jan. 31, 2011
Publication date： Aug. 23, 2012
Summary：

【課題】 結晶性を向上させることが可能な発光素子の製造方法および発光素子を提供する。 【解決手段】 本発明の発光素子1の製造方法は、窒化アルミニウムからなる多結晶基板2(2a)を酸素雰囲気中で加熱して多結晶基板2(2a)の表面を酸化させることによって、多結晶基板2(2a)の表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、多結晶基板2(2a)を窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して酸化領域を溶解した後、多結晶基板2(2a)を酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した酸化領域を固化して緩衝層3を形成する工程と、緩衝層3上に窒化アルミニウムを含む光半導体層4を成長させる工程とを有している。これにより、緩衝層3上に成長させる光半導体層4の結晶性を向上させることができる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムからなる多結晶基板を酸素雰囲気中で加熱して該多結晶基板の表面を酸化させることによって、前記多結晶基板の前記表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、 前記多結晶基板を前記窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって前記酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して前記酸化領域を溶解した後、前記多結晶基板を前記酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した前記酸化領域を固化して緩衝層を形成する工程と、 前記緩衝層上に窒化アルミニウムを含む光半導体層を成長させる工程と を有する発光素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/16 ,  H01L 33/22 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 160 ,  H01L33/00 172 ,  H01L21/205

F-Term (32)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F141AA03 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA22 ,  5F141CA24 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA77