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J-GLOBAL ID：201203008909647497

平坦化方法

Inventor： 山内 和人 ,  佐野 泰久 ,  原 英之 ,  村田 順二 ,  八木 圭太
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (3)： 渡邉 勇 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011271384
Publication number (International publication number)：2012064972
Application date： Dec. 12, 2011
Publication date： Mar. 29, 2012
Summary：

【課題】CARE法のメリットを延ばし、CARE法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。【解決手段】緩衝剤を含む第1処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第2処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行う。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

被加工物のSiCまたはGaNからなる被加工面を平坦に除去加工する平坦化方法であって、 緩衝剤を含む第1処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、前記触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させて該被加工面を平坦に加工して該被加工面の平坦度を向上させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、 初期表面除去工程後の被加工物の被加工面を、フッ化水素酸洗浄または純水洗浄で洗浄し、 ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第2処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させて該被加工面をダメージの残らない平坦に加工する触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行い、 最終表面除去工程後の被加工物の被加工面を、SPM洗浄、王水洗浄、及びフッ化水素酸洗浄のいずれか1つで洗浄することを特徴とする平坦化方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (2)：

H01L21/306 B ,  H01L21/304 647Z

F-Term (26)：

5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043BB12 ,  5F043DD08 ,  5F043DD10 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F157AA22 ,  5F157AA28 ,  5F157AA93 ,  5F157AA96 ,  5F157BB01 ,  5F157BB66 ,  5F157BC03 ,  5F157BC12 ,  5F157BC53 ,  5F157BC65 ,  5F157BC68 ,  5F157BE12 ,  5F157BE23 ,  5F157BE43 ,  5F157BE44 ,  5F157BE45 ,  5F157BE46 ,  5F157CA02 ,  5F157DB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 触媒支援型化学加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-299263   Applicant：山内和人, 佐野泰久
• 触媒支援型化学加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-110200   Applicant：国立大学法人熊本大学, 国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328331   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328287   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 触媒支援型化学加工方法及び加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328515   Applicant：国立大学法人大阪大学, 株式会社荏原製作所
• 磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-247659   Applicant：国立大学法人熊本大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Atomic-scale flattening of SiC surfaces by electroless chemical etching in HF solution with Pt catal
• Novel Abrasive-free Planarization of Si and SiC using Catalyst