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J-GLOBAL ID:201203011122655639

炭素ナノ構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 特許業務法人サクラ国際特許事務所 ,  阿相 順一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010207936
Publication number (International publication number):2012062222
Application date: Sep. 16, 2010
Publication date: Mar. 29, 2012
Summary:
【課題】電極材料及び触媒担体などとして使用することのできる、新規な構造の炭素ナノ構造体を提供する。【解決手段】金属塩を含む溶液に対してメチルアセチレンガスを吹き込み、金属メチルアセチリドのワイヤー状結晶体を作製し、前記棒状結晶体及び/又は前記板状結晶体に第1の加熱処理を施して、前記金属メチルアセチリド中の金属を偏析させるとともに、前記棒状結晶体及び/又は前記板状結晶体中の炭素を偏析させ、炭素を含む棒状体及び/又は板状体が3次元的に結合してなる炭素ナノ構造中間体を得るとともに、この炭素ナノ構造中間体中に前記金属が内包されてなる金属内包炭素ナノ構造体を作製し、前記金属内包炭素ナノ構造体を硝酸と接触させ、前記金属内包炭素ナノ構造物に対して第2の加熱処理を施して、前記金属内包炭素ナノ構造物に内包される前記金属を噴出させ、グラフェン多層膜壁で画定される肺胞状空孔を有する炭素ナノ構造体を得る。【選択図】図4
Claim (excerpt):
金属塩を含む溶液に対してメチルアセチレンガスを吹き込み、金属メチルアセチリドのワイヤー状結晶体を作製し、前記棒状結晶体及び/又は前記板状結晶体に第1の加熱処理を施して、前記金属メチルアセチリド中の金属を偏析させるとともに、前記棒状結晶体及び/又は前記板状結晶体中の炭素を偏析させ、炭素を含む棒状体及び/又は板状体が3次元的に結合してなる炭素ナノ構造中間体を得るとともに、この炭素ナノ構造中間体中に前記金属が内包されてなる金属内包炭素ナノ構造体を作製し、前記金属内包炭素ナノ構造体を硝酸と接触させ、前記金属内包炭素ナノ構造物に対して第2の加熱処理を施して、前記金属内包炭素ナノ構造物に内包される前記金属を噴出させて得たことを特徴とする、炭素ナノ構造体。
IPC (3):
C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00
FI (3):
C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  B82B1/00
F-Term (48):
4G146AA07 ,  4G146AA16 ,  4G146AB10 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC07A ,  4G146AC07B ,  4G146AC16B ,  4G146AD23 ,  4G146AD35 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB11 ,  4G146BB22 ,  4G146BC03 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC43 ,  4G146CA02 ,  4G146CA08 ,  4G146CA12 ,  4G146CA16 ,  5E078AB01 ,  5E078BA12 ,  5E078BB30 ,  5H018AA02 ,  5H018BB01 ,  5H018BB13 ,  5H018BB16 ,  5H018DD01 ,  5H018EE02 ,  5H018EE06 ,  5H018HH02 ,  5H018HH03 ,  5H018HH04 ,  5H018HH09 ,  5H050CB07 ,  5H050EA08 ,  5H050FA09 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA11 ,  5H050GA12 ,  5H050GA22 ,  5H050GA27 ,  5H050HA04 ,  5H050HA06 ,  5H050HA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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