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J-GLOBAL ID：201203012081026288

窒化アルミニウム結晶の製造方法

Inventor： 福山 博之 ,  安達 正芳 ,  田中 明和 ,  前田 一夫
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (5)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011050415
Publication number (International publication number)：2012167001
Application date： Mar. 08, 2011
Publication date： Sep. 06, 2012
Summary：

【課題】安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga-Al合金融液4中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を1000°C以上1500°C以下の範囲とすることにより、GaNを金属Gaと窒素ガスに分解させる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

Ga-Al合金融液にN原子を含有するガスを導入し、該Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04

F-Term (11)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EE00 ,  4G077QA04 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38