ホウ素ドープダイヤモンド

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：川口嘉之 , 松倉秀実 , 佐貫伸一 , 丹羽武司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011526549
Publication number (International publication number)：2012501954
Application date： Jan. 06, 2009
Publication date： Jan. 26, 2012
Summary：

本発明は、金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンド前面に金属ナノ粒子を沈着させる前にホウ素ドープダイヤモンド前面を酸処理することで強酸化剤を生成する工程を含む、方法に関する。酸洗浄により得られた金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素終端化された前面を有する。金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素センサーとして電極中に用いられ得、この電極は、ホウ素ドープダイヤモンド柱を製造し;この柱の前面のみが露出するように柱を絶縁し;柱の前面を研磨し;柱の前面を酸処理し;柱の前面に金属ナノ粒子を沈着させることで作製され得る。

Claim (excerpt)：

金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンドの前面に金属ナノ粒子を沈着させる工程の前の工程において前記ホウ素ドープダイヤモンドの前記前面の少なくとも一部を酸処理して前記BDDの酸処理された部分を酸素化することを含む、方法。

IPC (7)：

C01B 31/06 , G01N 27/30 , G01N 27/404 , G01N 27/48 , C25D 7/00 , C25D 21/12 , C25D 5/54

FI (12)：

C01B31/06 A , G01N27/30 B , G01N27/30 F , G01N27/46 323 , G01N27/30 341G , G01N27/30 341D , G01N27/30 Z , G01N27/48 311 , C01B31/06 Z , C25D7/00 Y , C25D21/12 K , C25D5/54

F-Term (17)：

4G146AA04 , 4G146AC27A , 4G146CB12 , 4G146CB14 , 4G146CB26 , 4G146CB37 , 4K024AA11 , 4K024AA12 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB27 , 4K024BB28 , 4K024BC10 , 4K024CA01 , 4K024DA01 , 4K024DA03 , 4K024GA16

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

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