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J-GLOBAL ID：201203015722316590

エネルギー変換装置

Inventor： クイック,ナサニエル,アール. ,  カー,アラヴィンダ
Applicant, Patent owner： クイック,ナサニエル,アール. ,  ユニバーシティ オブ セントラル フロリダ
Agent (1)： 保科 敏夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011538604
Publication number (International publication number)：2012510717
Application date： Dec. 01, 2009
Publication date： May. 10, 2012
Summary：

【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第1のドープド領域と第2のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第1の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第2の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第3の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 【選択図】図4A

Claim (excerpt)：

電磁と電気エネルギーとの間のエネルギーを変換する半導体エネルギー変換装置を製造する方法であり、次の各工程を備える、半導体エネルギー変換装置の製造方法。 ・第1のドープド区域をもつ広いバンドギャップの半導体材料を用意する工程。 ・その広いバンドギャップの半導体材料の第1のドープド区域に、ドーピングガスを当てる工程。 ・そのドーピングガスが存在する広いバンドギャップの半導体材料の第1のドープド区域上に、熱エネルギービームを向け、それにより、第1のドープド区域の一部を広いバンドギャップの半導体材料の第2のドープド区域に変化させる工程。 ・広いバンドギャップの半導体材料の第1および第2のドープド区域に対し、第1および第2のオーム電極を付ける工程。

IPC (2)：

H01L 33/28 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L33/00 182 ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 A

F-Term (26)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58 ,  5F041CA72 ,  5F041CA77 ,  5F141AA11 ,  5F141AA12 ,  5F141CA02 ,  5F141CA33 ,  5F141CA49 ,  5F141CA58 ,  5F141CA72 ,  5F141CA77 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151BA03 ,  5F151CB18 ,  5F151GA03 ,  5F151JA08 ,  5F151JA28 ,  5F151JA29