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J-GLOBAL ID：201203019989645718

有機半導体素子の製造方法

Inventor： 金澤 周介 ,  永江 充孝 ,  小川 健一
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (6)： 金山 聡 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  藤枡 裕実 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011080823
Publication number (International publication number)：2012216676
Application date： Mar. 31, 2011
Publication date： Nov. 08, 2012
Summary：

【課題】高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部2を有する基体1と、前記基体1上に形成されたソース電極3及びドレイン電極4と、前記基体1の撥液部2の一部上に形成された遮蔽層5とを有し、前記ソース電極3及び前記ドレイン電極4に金もしくは/及び白金、又は酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている有機半導体素子用基板6上に紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板6に照射して、前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部7に変性する有機半導体素子用基板6の形成工程と、有機半導体層8の形成工程と、前記ソース電極3及び前記ドレイン電極4に酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている場合は還元工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

有機半導体材料を溶媒に含有させた有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部を有する基体と、前記基体上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記基体の撥液部の一部上に形成された遮蔽層とを有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に金又は/及び白金が含まれている有機半導体素子用基板上に、前記有機半導体素子用基板のソース電極及びドレイン電極が形成されている側から、紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板に照射して、前記基体の撥液部の一部を前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部に変性する有機半導体素子用基板の形成工程と、 前記遮蔽層を前記有機半導体素子用基板の基体上から除去し、前記有機半導体素子用基板上に前記有機半導体層形成用溶液を塗布し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接する前記有機半導体層を形成する有機半導体層の形成工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (5)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28 100A

F-Term (33)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01