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J-GLOBAL ID：201203020866174298

多結晶シリコン中の炭素濃度測定方法

Inventor： 岡田 淳一 ,  小林 幸一 ,  久米 史高
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011082983
Publication number (International publication number)：2012220212
Application date： Apr. 04, 2011
Publication date： Nov. 12, 2012
Summary：

【課題】簡易・簡便に、しかも多結晶シリコン棒中の所望の位置における置換型炭素不純物の大凡の濃度が測定可能な方法を提供すること。【解決手段】多結晶シリコンロッドから板状多結晶シリコンを切り出し、該板状多結晶シリコンの両面を鏡面研磨して2.12±0.01mmの厚みとする。置換型炭素濃度が既知の厚み2.00±0.01mmの単結晶シリコン標準試料を用いて赤外吸収分光法により標準測定法に則って検量線を作成し、鏡面研磨後の板状多結晶シリコンの置換型炭素の吸収帯ピークを含む波数領域の赤外吸収スペクトルを検量線作成時と同一条件下で求め、厚み補正を行うことなく置換型炭素濃度を求める上記置換型炭素濃度が既知の単結晶シリコン標準試料は、JEIDAによるラウンドロビン等で用いられた標準試料に準じて作成されたものが好ましい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンロッドから板状多結晶シリコンを切り出し、 該板状多結晶シリコンの両面を鏡面研磨して2.12±0.01mmの厚みとし、 置換型炭素濃度が既知の厚み2.00±0.01mmの単結晶シリコン標準試料を用いて赤外吸収分光法により標準測定法に則って検量線を作成し、 前記鏡面研磨後の板状多結晶シリコンの所望の箇所の置換型炭素の吸収帯ピークを含む波数領域の赤外吸収スペクトルを前記検量線作成時と同一条件下で求め、 厚み補正を行うことなく前記検量線に基づいて前記板状多結晶シリコンの置換型炭素濃度を求める、ことを特徴とする多結晶シリコン中の炭素濃度測定方法。

IPC (3)：

G01N 21/35 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/00

FI (3)：

G01N21/35 Z ,  G01N21/27 F ,  G01N21/00 B

F-Term (14)：

2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059CC02 ,  2G059DD01 ,  2G059DD20 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059FF08 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ22 ,  2G059MM01 ,  2G059MM12