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J-GLOBAL ID：201203021666168885

めっき装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 依田 博行 ,  藤田 憲
Applicant, Patent owner： 富士通セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 川上 光治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011101744
Publication number (International publication number)：2012233224
Application date： Apr. 28, 2011
Publication date： Nov. 29, 2012
Summary：

【課題】ウェハの周縁部で膜を正常に成長させることができるめっき装置を提供する。【解決手段】めっき槽2内部に取り付けられた第1電極6と、めっき槽2の側壁5cにおいて、環状のフランジ7cを介してめっき槽2の内から外に向けて直径の小さい順に隣接する環状の第1、第2の開口部7a,7bと、第2の開口部7b内でフランジ7cの上に取り付けられるシールパッキン8と、シールパッキン8の上に、第2の開口部7bの内壁から離れて取り付けられる環状の第2の電極9と、第2の電極9に対向する位置に周縁を有するウェハ保持領域11xを有する第2の開口部7bよりも大きなウェハステージ11と、ウェハステージ11のウェハ保持領域11xの周囲の領域に形成され、シールパッキン8に一端が向けられる加圧用ホール11iと、ウェハステージ11を移動してめっき槽2の側壁5cに押し当てて前記第2の開口部7bを閉塞させる駆動部13とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

めっき槽と、 前記めっき槽の内部に取り付けられた第1の電極と、 前記めっき槽の側壁において、環状のフランジを介して前記めっき槽の内側から外側に向けて直径の小さい順に隣接する環状の第1の開口部と環状の第2の開口部と、 前記第2の開口部内で前記フランジの上に取り付けられるシールパッキンと、 前記シールパッキンの上に、前記第2の開口部の内壁から離れて取り付けられる環状の第2の電極と、 前記第2の電極に対向する位置に周縁を有するウェハ保持領域を有し、前記第2の開口部よりも大きく形成されるウェハステージと、 前記ウェハステージのうち前記ウェハ保持領域の周囲の領域に形成され、前記シールパッキンに一端が向けられる加圧用ホールと、 前記ウェハステージを前記めっき槽の側壁に押し当てて前記第2の開口部を閉塞させる駆動部と、 前記第1の電極と前記第2の電極の間に電位差を生じさせる電圧源と、 を有するめっき装置。

IPC (6)：

C25D 17/06 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/288 ,  C25D 17/08

FI (5)：

C25D17/06 C ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/88 B ,  H01L21/288 E ,  C25D17/08 R

F-Term (20)：

4M104BB14 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07