光源装置、光学ピックアップ、記録装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：脇篤夫 , 鈴木伸夫 , 中川裕人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011120501
Publication number (International publication number)：2012248745
Application date： May. 30, 2011
Publication date： Dec. 13, 2012
Summary：

【課題】MLLD(モードロックレーザ)部とSOA(半導体光増幅器)を備えたMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。【解決手段】SOA14の入射側導波路の横方向幅を当該SOAの入射側導波路の水平横モードがマルチモード(MLLD部の出射側導波路の横方向幅よりも大)となるように設定し、且つSOAの入射側光結合において基本モード(シングルモード)が選択励起されるようにMLLD部10からSOAへの入射光の倍率変換を行い、SOAの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、SOA出射光の光強度分布が単峰特性とする。MLLD部からの入射光の倍率を変換(SOAへの入射光のスポットサイズを拡大)し、SOAの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)による光源装置であって、上記半導体光増幅器の入射側導波路の横方向幅が、当該半導体光増幅器の入射側導波路の水平横モードがマルチモードとなるように設定されていると共に、上記半導体光増幅器の入射側光結合において基本モードが選択励起されるように、上記モードロックレーザ部から上記半導体光増幅器への入射光についての倍率変換を行う倍率変換部を備える光源装置。

IPC (3)：

H01S 5/50 , H01S 5/065 , G11B 7/125

FI (3)：

H01S5/50 610 , H01S5/065 , G11B7/125 A

F-Term (17)：

5D789AA23 , 5D789AA43 , 5D789FA05 , 5D789FA15 , 5D789JA07 , 5D789JA08 , 5D789JA36 , 5D789JB05 , 5F173AB33 , 5F173AB44 , 5F173AS01 , 5F173MA05 , 5F173MC15 , 5F173MF02 , 5F173MF10 , 5F173MF25 , 5F173MF39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-059889 Applicant：富士通株式会社
特開平2-148874

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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