Pat

J-GLOBAL ID：201203026813866293

一軸配向性に優れた高温超伝導体薄膜及びその製造方法

Inventor： 川江 健 ,  森本 章治 ,  大西 史哉
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 大谷 嘉一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010191597
Publication number (International publication number)：2012046391
Application date： Aug. 28, 2010
Publication date： Mar. 08, 2012
Summary：

【課題】Y-Ba-Cu-O系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。【解決手段】基板材料の表面に形成したLaNiO3薄膜層と、当該LaNiO3薄膜層の上に形成されたY-Ba-Cu-O系薄膜層を有することを特徴とする。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

基板材料の表面に形成したLaNiO3薄膜層と、当該LaNiO3薄膜層の上に形成されたY-Ba-Cu-O系薄膜層を有することを特徴とする一軸配向性に優れたY-Ba-Cu-O系の薄膜積層体。

IPC (5)：

C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/24 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00

FI (5)：

C01G3/00 ,  C01G1/00 S ,  H01L39/24 B ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

F-Term (16)：

4G047JA03 ,  4G047JC02 ,  4G047KE02 ,  4G047KG04 ,  4M113AD36 ,  4M113AD39 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  4M113CA44 ,  5G321AA04 ,  5G321BA11 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB37