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J-GLOBAL ID：201203027987025448

レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板

Inventor： 谷口 仁啓 ,  吉沼 隆史 ,  田本 宏樹 ,  渡辺 耕輔 ,  志摩 秀和
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 平井 良憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011004897
Publication number (International publication number)：2012146858
Application date： Jan. 13, 2011
Publication date： Aug. 02, 2012
Summary：

【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第1照射領域にレーザ光を照射する第1照射工程と、第1照射領域に形成されたリッジを含んだ第2照射領域を定め、当該第2照射領域にレーザ光を照射する第2照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

レーザ光を半導体基板に照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法であって、 半導体基板の表面に前記ドーパントを接触させる接触工程と、 前記表面の第1照射領域に前記レーザ光を照射する第1照射工程と、 前記第1照射領域に形成されたリッジを含んだ第2照射領域を定め、当該第2照射領域に前記レーザ光を照射する第2照射工程とを有することを特徴とするレーザドーピング方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/268 ,  C30B 31/20 ,  H01L 21/225

FI (6)：

H01L21/22 E ,  H01L31/04 A ,  H01L21/268 T ,  C30B31/20 ,  H01L21/225 Q ,  H01L21/225 R

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FB01 ,  4G077FB02 ,  4G077FE15 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151GA04 ,  5F151HA01