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J-GLOBAL ID：201203033381580462

電子機器

Inventor： イリアン・ウー ,  ピン・リウ ,  ナン-シン・フー
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (3)： 特許業務法人YKI国際特許事務所 ,  大賀 眞司 ,  百本 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012004320
Publication number (International publication number)：2012156502
Application date： Jan. 12, 2012
Publication date： Aug. 16, 2012
Summary：

【課題】高い移動度と優れた安定性を持つ薄膜トランジスタと、それを用いた電子機器を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタの活性層は、2層の半導体層を備えている。第1の副層は、特定構造のポリチオフェンとカーボンナノチューブとを含む。第2の副層は、特定構造のポリチオフェンを含み、カーボンナノチューブを含まない。2層の半導体層を形成した後、これらの半導体層を一緒にアニールしても良い。カーボンナノチューブはポリチオフェンを含む分散液の塗布により成膜される。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体二層を備えており、この半導体二層が、 第1の半導体およびカーボンナノチューブを含み、第1の半導体がポリチオフェンである第1の副層と; 第2の半導体を含む第2の副層とを備える、電子機器。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (9)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310A

F-Term (42)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33