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J-GLOBAL ID：201203035021360120

アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス

Inventor：
ブラミアン トニー

About ブラミアン トニー

, 
ジェイソン チャン

About ジェイソン チャン


Applicant, Patent owner：
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

About インターナショナル レクティフィアー コーポレイション


Agent (3)： 杉村 憲司 ,  大倉 昭人 ,  荒木 淳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012059460
Publication number (International publication number)：2012199547
Application date： Mar. 15, 2012
Publication date： Oct. 18, 2012
Summary：
【課題】アクティブ発振防止付き複合半導体デバイスを提供する。【解決手段】本明細書は、アクティブ発振制御付き複合半導体デバイスの種々の実現を開示する。1つの好適な実現では、ノーマリオフ複合半導体デバイスが、ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタ、及びこのノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続された低電圧(LV)デバイスを具えて、ノーマリオフ複合半導体デバイスを形成する。このLVデバイスは、例えば修正したボディ打込み領域により低減した出力抵抗、及び例えば修正した酸化物の厚さにより低減したトランスコンダクタンスの一方または両方を含むように構成されて、複合半導体デバイスのゲインを約10,000以下にすることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
アクティブ発振制御を含むノーマリオフ複合半導体デバイスであって、 ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタと; 前記ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続されて、前記ノーマリオフ複合半導体デバイスを形成する低電圧(LV)デバイスとを具え、 前記LVデバイスは、前記ノーマリオフ複合半導体デバイスのゲインを約10,000以下にするように低減された出力抵抗を有することを特徴とするノーマリオフ複合半導体デバイス。
IPC (6)：
H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823
FI (3)：
H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/08 102A
F-Term (24)：
5F048AB04 ,  5F048AC09 ,  5F048BA01 ,  5F048BA15 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BE03 ,  5F048DA27 ,  5F102FA01 ,  5F102GA02 ,  5F102GA05 ,  5F102GA14 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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